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ヤマナカヒューテック株式会社は高純度電子材料、シリコンウェハー、MEMSファンドリーサービス、蒸着材料(光学薄膜材料)、機能性材料等を多角的に取り扱う研究開発型企業です。

TEL. 075-721-5555

〒606-0804 京都市左京区下鴨松原町29番地

各蒸着材料(光学薄膜材料)の特性PVD characteristic table

各蒸着材料(光学薄膜材料)の特性

酸化物

 品名  屈折率
(550nm近辺)
蒸発方法  理論密度(g/cm3)  使用波長域  蒸発温度(℃)  融点(℃)
Al2O3  1.63  EB  4.0  0.2〜7μm 2,050 2,015
CeO2 2.0 EB 7.3 0.4〜16μm 2,000 1,950
Cr2O3 EB
抵抗加熱
5.21 2,000 1,990 
HfO2 1.95  EB 9.68 0.22〜12μm 2,812
La2O3 1.9 EB
抵抗加熱
6.51 0.3μm〜 1,500 2,000
MgO 1.74 EB 3.65 0.2〜8μm 2,800 2,800
Nb2O3 2.3 EB 4.47 0.32〜8μm 1,520
NiO EB 6.96 1,998
SiO2 1.46 EB 2.20 0.2〜8μm 2,000 1,600
Ta2O5 2.1 EB 8.73 0.4〜10μm 2,100 1,469
TiO2 2.3〜2.55 EB 4.26 0.4〜3μm 2,000 1,640
Ti3O5 2.3〜2.55 EB 4.26 0.4〜3μm 2,000 1,640
Y2O3 1.87 EB 4.84 0.3〜12μm 2,400 2,410
WO3 7.15 1,473
ZnO 2.1 抵抗加熱 5.47 0.4μm〜 1,100 1,800
ZrO2 2.05 EB 5.56 0.34〜12μm 2,700 2,677
ZrO2+TiO2 2.1 EB 4.0 0.4〜7μm 2,400

フッ化物

品名 屈折率
(550nm近辺)
蒸発方法 理論密度
(g/cm3)
使用波長域 蒸発温度(℃) 融点(℃)
AlF3 1.38 抵抗加熱 2.88 0.2μm〜 1,294
CaF2 1.23〜1.45 抵抗加熱 3.18 0.15〜12μm 1,280 1,360
CeF3 1.63 抵抗加熱  5.8 0.3〜5μm 1,360 1,324
GdF3 1.59 抵抗加熱 0.3μm〜 1,230
LaF3 1.59 抵抗加熱 5.9 0.22〜14μm 1,350 1,490
LiF 1.3 抵抗加熱 2.64 0.11〜7μm 840 842
MgF2 1.38〜1.4 抵抗加熱 3.2 0.11〜4μm 1,270 1,260
NaF 1.29〜1.3 抵抗加熱 2.79 0.2μm〜 998 998
NdF3 1.61 抵抗加熱 6.5 0.25μm〜 1,410 1,410
YF3 1.5 EB
抵抗加熱
5.07 0.2〜14μm 1,100 1,152

硫化物

品名 屈折率
(550nm近辺)
蒸発方法 理論密度
(g/cm3)
使用波長域 蒸発温度(℃) 融点(℃)
ZnS 2.3〜2.4 EB
抵抗加熱
4.1 0.4〜14μm 1,100 1,020


蒸着材料(光学薄膜材料)・ スパッタリングターゲット

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ヤマナカヒューテック株式会社

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