近年、パワー半導体分野においては、Si 半導体に代わるワイドギャップ素材に注目が集まっています。弊社では、このうちGaN及びGa2O3パワー半導体向けを中心とした材料開発に取り組んでいます。
※表の仕様は代表例となります。詳細はお問い合わせください。