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金属材料

近年、パワー半導体分野においては、Si 半導体に代わるワイドギャップ素材に注目が集まっています。弊社では、このうちGaN及びGa2O3パワー半導体向けを中心とした材料開発に取り組んでいます。

[代表例]金属材料:ハロゲン化物、酸化物、錯体有機金属、窒化物の図

仕様・用途例

品名 仕様例(※) 用途例
GaCl3 99.999% up 結晶成長原料・LED原料
Ga2O3 99.999% 1<D50<10μm 単結晶原料・薄膜原料

※表の仕様は代表例となります。詳細はお問い合わせください。