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Si半導体用液体材料/薄膜電子材料

半導体製造に使用されるガス及び液体材料は各種ありますが、ヤマナカヒューテックではシリコン酸化膜材料、low-k材料、拡散材料など、シリコン半導体に向け成膜材料を主にラインナップしております。

中でもTEOSは化学気相蒸着(CVD)によって低温かつSi以外の基板上にシリコン酸化膜を成膜できる特徴があるため、シリコン半導体やFPD(フラットパネルディスプレイ)の絶縁膜の形成の際に用いられています。
弊社では国内外の半導体メーカーへ長年TEOSを安定供給してきた歴史・実績があります。

Si半導体と弊社製品
代表的な製品(セクター)

SI半導体向けCVD材料・ALD材料

品目 用途 化学名 英名 CAS番号
TEOS CVD/ALD プリカーサー
CVD/ALD Precursor
テトラエトキシシラン Tetraethoxysilane 78-10-4
BDEAS ビスジエチルアミノシラン Bis(dimethylamino)dimethylsilane 27804-64-4
OMCTS 2,2,4,4,6,6,8,8-オクタメチルシクロテトラシロキサン Octamethylcyclotetrasiloxane 556-67-2
DMDMOS ジメチルジメトキシシラン Dimethyldimethoxysilane 1112-39-6
4MS テトラメチルシラン Tetramethylsilane 75-76-3
HMDSO 1,1,1,3,3,3-ヘキサメチルジシロキサン Hexamethyldisiloxane 107-46-0
HMDSN 1,1,1,3,3,3-ヘキサメチルジシラザン Hexamethyldisilazane 999-97-3
POCl3 ドーパント
Dopant
オキシ塩化リン Phosphorus trichloride 7719-12-2
BBr3 三臭化ホウ素 Boron tribromide 10294-33-4
As 砒素 Arsenic 7440-38-2
P リン Phosphorus 7723-14-0
TEPO リン酸トリエチル Triethyl phosphate 78-40-0
TMPO リン酸トリメチル Trimethyl phosphate 512-56-1
TEB ホウ酸トリエチル Triethyl borate 150-46-9
TMB ホウ酸トリメチル Trimethyl borate 121-43-7
GaCl3 化合物半導体
Compound Semiconductor
三塩化ガリウム Gallium trichloride 13450-90-3
Ga2O3 酸化ガリウム (III) Gallium oxide 12024-21-4
POCl3 太陽電池
Solar Cell Field
オキシ塩化リン Phosphorus trichloride 7719-12-2