Si半導体用液体材料/薄膜電子材料
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半導体製造に使用されるガス及び液体材料は各種ありますが、ヤマナカヒューテックではシリコン酸化膜材料、low-k材料、拡散材料など、シリコン半導体に向け成膜材料を主にラインナップしております。
中でもTEOSは化学気相蒸着(CVD)によって低温かつSi以外の基板上にシリコン酸化膜を成膜できる特徴があるため、シリコン半導体やFPD(フラットパネルディスプレイ)の絶縁膜の形成の際に用いられています。
弊社では国内外の半導体メーカーへ長年TEOSを安定供給してきた歴史・実績があります。


品目 | 用途 | 化学名 | 英名 | CAS番号 |
---|---|---|---|---|
TEOS | CVD/ALD プリカーサー CVD/ALD Precursor |
テトラエトキシシラン | Tetraethoxysilane | 78-10-4 |
BDEAS | ビスジエチルアミノシラン | Bis(dimethylamino)dimethylsilane | 27804-64-4 | |
OMCTS | 2,2,4,4,6,6,8,8-オクタメチルシクロテトラシロキサン | Octamethylcyclotetrasiloxane | 556-67-2 | |
DMDMOS | ジメチルジメトキシシラン | Dimethyldimethoxysilane | 1112-39-6 | |
4MS | テトラメチルシラン | Tetramethylsilane | 75-76-3 | |
HMDSO | 1,1,1,3,3,3-ヘキサメチルジシロキサン | Hexamethyldisiloxane | 107-46-0 | |
HMDSN | 1,1,1,3,3,3-ヘキサメチルジシラザン | Hexamethyldisilazane | 999-97-3 | |
POCl3 | ドーパント Dopant |
オキシ塩化リン | Phosphorus trichloride | 7719-12-2 |
BBr3 | 三臭化ホウ素 | Boron tribromide | 10294-33-4 | |
As | 砒素 | Arsenic | 7440-38-2 | |
P | リン | Phosphorus | 7723-14-0 | |
TEPO | リン酸トリエチル | Triethyl phosphate | 78-40-0 | |
TMPO | リン酸トリメチル | Trimethyl phosphate | 512-56-1 | |
TEB | ホウ酸トリエチル | Triethyl borate | 150-46-9 | |
TMB | ホウ酸トリメチル | Trimethyl borate | 121-43-7 | |
GaCl3 | 化合物半導体 Compound Semiconductor |
三塩化ガリウム | Gallium trichloride | 13450-90-3 |
Ga2O3 | 酸化ガリウム (III) | Gallium oxide | 12024-21-4 | |
POCl3 | 太陽電池 Solar Cell Field |
オキシ塩化リン | Phosphorus trichloride | 7719-12-2 |